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直接带隙半导体(directbandgapsemiconductor)
直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0，这种半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁，跃迁过程中，除能量守恒外，还遵循动量守恒，跃迁前后，波矢K不变。能量大于禁带宽度Eg的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体均属直接带隙半导体。
现在是不是觉得学期学习很简单啊，希望这篇课外物理百科知识可以帮助到大家。努力哦!
【课外物理百科知识之直接带隙半导体（directbandgapsemiconductor）】相关文章：
★ 百科物理知识点之本征半导体（intrinsicsemiconductor）
★ 课外百科物理知识点之超导薄膜（superconductingfilm）
★ 物理百科知识之微电子学（microelectronics）
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