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半导体二极管的主要参数
来源查字典物理网| 2012-12-29 发表| 物理教研分类:教学参考

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正向直流电流IF是在规定的使用条件下,在电阻性负荷的正弦半波整流电路中,允许连续通过二极管的最大工作电流的平均值。在二极管连续工作时,工作电流不应超过IF,否则可能使管子因过热而损坏。一般锗管,IF为数十毫安以下,而大功率硅管可达数百安。

反向直电流IR是在室温下,加上规定的反向电压(如10、25、50、75或100伏)时的反向电流。IR越小,二极管的品质越好。一般锗管,约数百微安;一般硅管,在1微安至数十微安。

反向峰值击穿电压UBR是二极管能承受的最高反向电压,超过后将导致二极管被击穿。

反向工作峰值电压URWM是指二极管所允许施加的最大反向峰值电压,它一般为反向峰值击穿电压的一半或三分之二。一般锗管,URWM为数十状以下,而硅管可达数百伏。

最高工作频率fM由于二级管的PN结具有电容,因而当使用的频率过高时,它的性能将变差。fM是二极管能够正常使用时的最高工作频率。二极的结电容(极间电容)越小,fM越高。

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