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由大量取向不同的小的硅单晶体构成的薄膜或体硅材料称为多晶硅。非掺杂的多晶硅具有很高的电阻率,一般为106~107cm。多晶硅中由于大量晶粒间界的存在形成缺陷态,使自由载流子的浓度减少,散射大大增加,迁称率减少,杂质扩散系数增加
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