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主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。V族元素在硅、锗中是替代式杂质,它们电离时能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。它们释放电子的过程叫做施主电离。施主杂质未电离时是中性的,称为束缚态或中性态,电离后成为正电中心,称为离化态。将被施主杂质束缚的电子能量状态称为施主能级,记为ED。`DeltaE_DltltE_g`,施主能级位于离导带很近的禁带中。通常,施主杂质是比较少的,它们的相互作用忽略。因此,某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。在纯净半导体(又称本征半导体)中掺入施主杂质后,导带中导电电子增多,增强了半导体的导电能力。n型半导体中电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。
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