间接带隙半导体（indirectbandgapsemiconductor）物理知识大全

人才源自知识，而知识的获得跟广泛的阅读积累是密不可分的。古人有书中自有颜如玉之说。杜甫所提倡的读书破万卷, 下笔如有神等，无不强调了多读书广集益的好处。这篇间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)物理知识大全，希望可以加强你的基础。

间接带隙半导体（indirectbandgapsemiconductor）

间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)

指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，价带顶位于K空间原点，而导带底并不在K空间的原点。因此，间接带隙半导体中电子不仅吸收光子还与晶格交换能量，发生非直接跃迁。伴随发射或吸收适当的声子，电子的波矢K可以改变。GaP是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体，则可调节x(0

感谢你阅读间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)物理知识大全。

【间接带隙半导体（indirectbandgapsemiconductor）物理知识大全】相关文章：

★ 半导体（semiconductor）

★ 约瑟夫森方程（Josephsonequation）初中知识物理篇

★ 卡皮查液化器（Kapitzaliquefier）初中生物理百科

★ 超导计算机（superconductingcomputer）初中知识物理篇

★ 洛伦兹力（Lorentzforce）中国百科知识专题

★ 等焓膨胀（isenthalpicexpansion）物理初中年级知识

★ 【核燃料元件】(nuclearfuelelement)物理初中年级知识

★ 克劳德循环（Claudecycle）初中生物理百科

★ 水在生活中的物理学知识

★ 数控铣对刀实例物理知识百科