隧道二极管（tunneldiode）物理知识大全

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隧道二极管（tunneldiode）

隧道二极管(tunneldiode)

又名江崎(Esaki)二极管，一种两端半导体结型器件。此管是由日本人江崎于1957年发明的。它不具有普通的整流作用，在正向偏置下，正向电流一开始随电压的增加而迅速上升达到极大值，随后随电压的增大电流反而减小产生负阻现象。反向时，反向电流随反向偏压增大而迅速增加，相当于短路。这是由于在二极管的p区和n区均为重掺杂，通常称为隧道结，隧道结中势垒区很薄，约为10-2m，是一般pn结的1。由于量子力学的隧道效应，n区导带的电子可能穿过禁带到p区的价带，p区价带电子也可穿过禁带到n区导带，从而产生隧道电流。这样使得在零偏附近和所有负偏条件下电流均能自由通过。由于它具有正向负阻特性，而且是利用多子隧道效应工作的，所以隧道二极管具有多种用途。它具有噪声低、工作温度范围大，可在极高频工作等优点，能在高频电路中用作放大、振荡和开关等的有源元件。

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