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肖特基缺陷(Schottkydefect)
肖特基缺陷(Schottkydefect)
是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中,在T0K时,由于晶格热振动,能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面,或蒸发到外界,而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM(或VX)表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按物理计量比组成的化合物MX晶体,在产生VM的同时,也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷,记作(VM VX)。空位可以是中性,也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。
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