发光二极管（lightemittingdiode）物理知识大全

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发光二极管（lightemittingdiode）

发光二极管(lightemittingdiode)

用半导体材料制造的具有结型二极管结构的电致发光器件。目前广泛应用的发光二极管主要用Ⅲ-Ⅴ族二元或三元化合物制成。它主要利用pn结正向注入非平衡载流子的辐射复合而发光。除了pn结发光二极管，还有其他结构的，例如用不同禁带宽度的材料制成的异质结及双异质结结构，金属-半导体肖特基结构及金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。Ⅱ-Ⅵ族化合物都是宽禁带直接带隙材料，是理想的发光二极管材料，但由于自补偿效应等原因，大部分不能制成两性导电的材料，因而尚无简单的方法获得pn结，这方面的研究还在继续。

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