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氢化非晶硅(amorphousSi:H)
含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金，a-Si:H中含氢量达3～50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备，其电导及光电性质密切依赖于制备条件。a-Si:H中的氢能够补偿非晶硅中大量存在的悬挂键，使其缺陷态密度大大降低，从而导致a-Si:H具有显著的掺杂效应，电导率可改变约10个量级。a-Si:H具有比晶体硅更高的光电导响应，光电导与暗电导比值可达104～105。a-Si:H的光学带隙约1.7eV，对整个太阳光谱的吸收系数大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以实现对太阳光谱的完全吸收，因此它成为廉价太阳电池的基础材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜场效应管作为液晶显示屏的开关矩阵。
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